Опять вопрос про транзистор

Опять вопрос про транзистор. Говорят у транзистора база очень тонкая и слабо легированная поэтому при приложении прямо напряжения на эмитерный переход через коелкторный переход течет большой ток. Задается вопрос, раз ваша база такая тонкая и слаболегированная то и электроны (без напряжения эмитор-база, то есть закрытый транзистор) должны были пролететь чеез базу в коллектор НАСКВОЗЬ раз уж она такая тонкая и слаболегированная…. Устал уже от этого вранья и бреда где тот же факт в одном случае работает а вдругом нет. Ну не может эта тоненькая база препятствовать электронам при закрытом транзисторе. И еще, если даже предположить что плюс на базе тянет связанные элеткроны к себе как бы преподнимая ворота то эффект усиления бы не был. И даже если я предположим поверю что в однмо случае переход силен а в другмо слаб то все ранво ничего не будет работать так как правокатором (причиной) движения элеткронво из эмитера в базу было напряжение на эмитер-базе значит она была настолько решающяя и раз электроны начали вдигатся из за нее то в нее и пойдут то есть ВСЕ элеткроны пойдут через базу и в коллектор НЕ пойдут. Вообщем вот это все можете мне нормально обьяснить?

 

Вообщем вот это все можете мне нормально обьяснить? =Не можем, так как есть интернет, форумы и т.д.

 

Мне кажется, что читая ответы, вы тут же забываете про строки выше, или ранее. Тонкая база была дана для объяснения по коэффициенту. В закрытом состоянии ширина переходов увеличивается, и никак электроны не прорываются с эмиттера на коллектор. А бред? Какой бред? Как на пальцах объяснить, как работает транзистор, если вы зациклились на тонкой базе? Я Вам дал литературу — Степаненко " Теория транзисторов и транзисторных схем». Вот и читайте там «бредовые» идеи, если не доверяете тому, что для Вас стараются объяснить на этом форуме. А для развития — прочитайте по-внимательнее свой вопрос!

 

Могу посоветовать не заострять внимание на геометрических размерах зон. В районе р-n перехода в транзисторе существует потенциальный барьер. Об это очень подробно написано в книге «КВ приемник мирового уровня» (Кульский) в главе про транзисторы. Вплоть до примерного маршрута движения носителей зарядов внутри транзистора. Объясняется почему в этом случае он прошел, а в том — нет. С картинками.
Мое понимание, очень условно и упрощенно: есть потенциальный барьер. Преодолеть его носителям заряда, когда транзистор в закрытом состоянии, мешают кулоновские силы (закон взаимодействия зарядов). Допустим транзистор npn, к коллектору — плюс батареи, к эмиттеру — минус. Плюсы батареи тянут с какой-то силой ее же минусы. Но на переходе эмиттер-база имеется концентрация отрицательных зарядов, которая отталкивает минусы батареи сильнее, чем их притягивают плюсы батареи, вот потому-то транзистор закрыт. Результирующая сила, даже если она невелика, отталкивает. Но если к базе приложить плюс, ровно такой, чтобы результирующая сила, действующая на минусы батареи, все-таки стала тянуть их в сторону плюса батареи, то минусы пройдут потенциальный барьер и попадут в базу. А в базе на эти минусы будут действовать притягивающие силы и от плюса батареи и от плюса базы. Но так как плюс базы был мал, то сила от него будет меньше, и основная часть минусов пойдет к плюсу батареи.
Почитайте книги, без этого все «упрощенные» понимания от других пользователей будут малоэффективны